特許
J-GLOBAL ID：200903076740421770
パターン形成方法、インプリントモールド、フォトマスク
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-151495
公開番号（公開出願番号）：特開2008-304689
出願日： 2007年06月07日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】複数の段差を備えた微細な3次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のパターン形成方法は、段差を備えた基板上に形成されたレジスト膜に荷電粒子線を照射する第1のステップと、前記レジスト膜に前記第1のステップよりも高いドーズ量で荷電粒子線を照射する第2のステップと、を相前後して行うことを特徴とする。本発明の構成によれば、レジスト膜が平坦となるように充分にレジスト膜を厚くした場合であっても、第一のステップによりレジスト膜の表層が低ドーズ量で露光されるため、最終的に形成されるレジストパターンのアスペクト比を低くすることが出来る。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
微細な3次元構造パターンを形成するパターン形成方法において、
基板に段差を形成する工程と、
前記基板の段差を形成した側に、レジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をパターニングし、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとし、前記基板をエッチングする工程と、を備え、
前記レジスト膜をパターニングし、レジストパターンを形成する工程は、
前記レジスト膜に、荷電粒子線を照射する第1のステップと、
前記レジスト膜に、前記第1のステップよりも高いドーズ量で荷電粒子線を照射する第2のステップと、を備え、
前記第1のステップと前記第2のステップとを相前後して行う工程であること
を特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/20
, G03F 1/08
, B29C 59/02
G03F7/20 504
, G03F1/08 B
, B29C59/02 B
2H095BB10
, 2H097AA03
, 2H097CA16
, 2H097LA15
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AH73
, 4F209AJ08
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PC08
, 4F209PQ11
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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