有機シラン、有機シロキサン化合物を含んでなる絶縁膜用材料、その製造方法および半導体デバイス

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-383517
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051192
出願日： 2003年11月13日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】半導体デバイス用の層間絶縁材料に好適な、化学気相成長法により形成させる絶縁膜用材料、並びにそれらの材料から形成される絶縁膜および絶縁膜を用いた半導体デバイスを提供する。【解決手段】二級炭化水素基及び/又はアルケニル基がケイ素原子に直接結合したシラン化合物、シロキサン化合物からなる一般式(1)〜(4)のいずれかで示される有機シラン化合物、有機シロキサン化合物を含んでなる、化学気相成長法により形成させる絶縁膜用材料を用いる。【化1】【化2】【化3】【化4】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)

IPC (4件)：

H01L21/312 , C07F7/18 , C23C16/42 , H01L21/768

FI (7件)：

H01L21/312 C , C07F7/18 B , C07F7/18 C , C07F7/18 D , C07F7/18 X , C23C16/42 , H01L21/90 P

Fターム (34件)：

4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VP03 , 4H049VP04 , 4H049VQ02 , 4H049VQ03 , 4H049VQ05 , 4H049VQ21 , 4H049VQ78 , 4H049VR22 , 4H049VR42 , 4H049VS02 , 4H049VS03 , 4H049VS12 , 4H049VS21 , 4H049VU20 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030LA02 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033SS11 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF02 , 5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (3件)

酸化プラズマを用いた低誘電率膜の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-121623 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
絶縁膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-029302 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
シリコン化合物、絶縁膜形成材料及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-112499 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (6件)

オルガノアルコキシシラン化合物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-163114 出願人：信越化学工業株式会社
特開平2-192729
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-061685 出願人：日本電気株式会社

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