ポーラスシリコンの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：武井秀彦 , 吉村康男 , 鈴木寛治 , 鈴木宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-101931
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251647
出願日： 2009年04月20日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】シリコン基体の破損、損傷を生ずることなく安定に生産でき、かつアスペクト比が高い細孔が得られ、面積の大きいものであっても容易に生産できる高規則性ポーラスシリコンの製造方法を提供すること。【解決手段】ポーラスアルミナ膜2をシリコン基体1の表面に固定してドライエッチングを行い、前記シリコン基体1の表面に前記ポーラスアルミナ膜2の細孔と同じ配列の窪み3を形成し、次いで前記シリコン基体1を陽極としてフッ化水素酸を含む水溶液中で電解エッチングを行い、前記窪み3を選択的に溶解して細孔を形成し、ポーラスシリコン4を製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポーラスアルミナ膜をシリコン基体表面に固定してドライエッチングを行い、前記シリコン基体の表面に前記ポーラスアルミナ膜の細孔と同じ配列の窪みを形成し、次いで前記シリコン基体を陽極としてフッ化水素酸を含む水溶液中で電解エッチングを行い、前記窪みを選択的に溶解して、細孔を形成することを特徴とするポーラスシリコンの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 , H01L 21/308 , H01L 21/302 , H01M 4/139 , H01M 4/134

FI (7件)：

H01L21/306 L , H01L21/306 B , H01L21/306 S , H01L21/308 B , H01L21/302 201B , H01M4/02 112 , H01M4/02 105

Fターム (27件)：

5F004AA04 , 5F004BA11 , 5F004DA16 , 5F004DB01 , 5F004EA04 , 5F004EB08 , 5F043AA02 , 5F043AA09 , 5F043BB01 , 5F043DD02 , 5F043DD14 , 5F043DD15 , 5F043GG04 , 5H050AA02 , 5H050AA19 , 5H050BA17 , 5H050CB11 , 5H050DA03 , 5H050FA10 , 5H050FA15 , 5H050GA11 , 5H050GA12 , 5H050GA21 , 5H050GA25 , 5H050HA03 , 5H050HA05 , 5H050HA06

引用特許：

審査官引用 (1件)

マイクロチャンネルプレートを製造するためのシリコンエッチング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-548535 出願人：ナノシステムズ,インコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (2件)

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