半導体装置及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-268997
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153842
出願日： 2009年11月26日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタにおいて、活性層を形成する酸化物半導体領域の組成や膜質や界面などの変化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。【解決手段】第1の酸化物半導体領域を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて、第1の酸化物半導体領域と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に、第1の酸化物半導体より導電率が低い第2の酸化物半導体領域を形成することによって、第2の酸化物半導体領域は第1の酸化物半導体領域の保護層として機能するので、第1の酸化物半導体領域の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に第1の酸化物半導体領域と、前記第1の酸化物半導体領域上に第2の酸化物半導体領域とを有し、前記第1の酸化物半導体領域の一部は、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層の間で、前記ゲート絶縁層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の側面部と接し、第2の酸化物半導体領域の導電率は、前記第1の酸化物半導体領域の導電率より小さく、前記第1の酸化物半導体領域と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは電気的に接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/167 , G02F 1/136

FI (8件)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616S , H01L29/78 618A , H01L29/78 619A , G02F1/167 , G02F1/1368

Fターム (109件)：

2H092GA29 , 2H092GA43 , 2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB24 , 2H092JB33 , 2H092JB68 , 2H092JB69 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB15 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA25 , 2H092NA21 , 2K101AA04 , 2K101AA08 , 2K101BA02 , 2K101BA12 , 2K101BB43 , 2K101BC02 , 2K101BD61 , 2K101BD81 , 2K101EE02 , 2K101EK35 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-217272 出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
薄膜トランジスタ及びその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-038428 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
特開平2-025038

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