特許
J-GLOBAL ID:201003063933648301
被処理基板の除電方法及び基板処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
別役 重尚
, 村松 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-041231
公開番号(公開出願番号):特開2010-199239
出願日: 2009年02月24日
公開日(公表日): 2010年09月09日
要約:
【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。【解決手段】基板処理装置10は、ウエハWを収容するチャンバ11と、該チャンバ11内に配置されてウエハWを載置する載置台12とを備え、該載置台12は、載置されたウエハWの裏面に接触して当該ウエハWを静電吸着する静電チャック21と、該静電チャック21からウエハWの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系25を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハWを除電する際、まず、プラズマP中の電子によってウエハWの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系25からウエハWに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハWの裏面の負の電荷を中和する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
被処理基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記被処理基板を載置する載置台とを備え、前記載置台は、前記載置された被処理基板の裏面に接触して当該被処理基板を静電吸着する静電吸着部と、該静電吸着部から前記被処理基板に向けて伝熱ガスを噴出する伝熱ガス供給部を有する基板処理装置における被処理基板の除電方法であって、
前記伝熱ガス供給部が前記被処理基板に向けてイオン化ガスを供給するイオン化ガス供給ステップを有することを特徴とする被処理基板の除電方法。
IPC (4件):
H01L 21/306
, H01L 21/304
, G02F 1/13
, G02F 1/133
FI (5件):
H01L21/302 101R
, H01L21/302 101B
, H01L21/304 646
, G02F1/13 101
, G02F1/1333 500
Fターム (44件):
2H088FA18
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H088MA20
, 2H090JB02
, 2H090JB04
, 2H090JC09
, 5F004AA06
, 5F004AA14
, 5F004BA04
, 5F004BA09
, 5F004BA11
, 5F004BB02
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004CA06
, 5F004DA21
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F157AA15
, 5F157AA73
, 5F157AA93
, 5F157AB02
, 5F157AB13
, 5F157AB33
, 5F157AB42
, 5F157AB75
, 5F157AB98
, 5F157AC01
, 5F157AC13
, 5F157BG53
, 5F157BG56
, 5F157BG58
, 5F157BH14
, 5F157CF46
, 5F157CF72
, 5F157DA31
, 5F157DB53
, 5F157DC90
引用特許: