半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-252755
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135774
出願日： 2009年11月04日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、及び亜鉛(Zn)を含む酸化物半導体層が直接接する構造は、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。酸化物半導体層とソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した半導体装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素及び窒素を含むバッファ層を、酸化物半導体層とソース電極層及び、酸化物半導体層とドレイン電極層との間に設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上で前記ゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上で前記ゲート電極と端部が重畳する第1電極及び第2電極と、前記酸化物半導体層と前記第1電極に接してその間に第1バッファ層と、前記酸化物半導体層と前記第2電極に接してその間に第2バッファ層を有し、前記第1バッファ層及び前記第2バッファ層がインジウム、ガリウム、亜鉛、酸素及び窒素を含む薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , G02F 1/134 , G02F 1/136 , G09F 9/30

FI (11件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/78 616K , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L21/28 A , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30 338

Fターム (99件)：

2H092GA29 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092NA28 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD28 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104FF08 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5C094AA03 , 5C094AA21 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB10 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F110AA03 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE23 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK26 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (3件)

トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-345458 出願人：凸版印刷株式会社
薄膜トランジスタ及びその製法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-545474 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

審査官引用 (3件)

トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-345458 出願人：凸版印刷株式会社
薄膜トランジスタ及びその製法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-545474 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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