特許
J-GLOBAL ID：201003065516717310

オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法

発明者：
エンゲル カール

エンゲル カール について

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ローデ パトリック

ローデ パトリック について

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ヘッペル ルッツ

ヘッペル ルッツ について

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サバシル マティアス

サバシル マティアス について


出願人/特許権者：
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-504441
公開番号（公開出願番号）：特表2010-525585
出願日： 2008年04月24日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：
本発明は、電磁放射を発生させるに適している活性層(23)を備えている半導体積層体(2)と、第1および第2の電気接続層(4,6)とを有するオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、この半導体ボディが、前側から電磁放射を放出するように意図されており、第1および第2の電気接続層が、前側とは反対の後側に配置され、かつ分離層(5)によって互いに電気的に絶縁され、第1の電気接続層(4)と、第2の電気接続層(6)と、分離層(5)とが、横方向に互いに重なり合い、第2の電気接続層(6)の部分領域が、後側から貫通開口(3)を通じて前側の方向に活性層(23)を貫いている、オプトエレクトロニクス半導体ボディ、に関する。本発明は、このようなオプトエレクトロニクス半導体ボディを製造する方法に、さらに関する。
請求項（抜粋）：
電磁放射を発生させるに適している活性層を有する半導体積層体と、第1の電気接続層および第2の電気接続層と、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、 - 前記半導体ボディが、前側から電磁放射を放出するように設けられ、 - 前記第1の電気接続層および前記第2の電気接続層が、前記前側とは反対の後側に配置され、分離層によって互いに電気的に絶縁され、 - 前記第1の電気接続層と、前記第2の電気接続層と、前記分離層とが、横方向に重なり合い、 - 前記第2の電気接続層の部分領域が、前記後側から貫通開口を通じて前記前側の方向に前記活性層を貫いている、 オプトエレクトロニクス半導体ボディ。
IPC (2件)：
H01L 33/30 ,  H01L 33/28
FI (2件)：
H01L33/00 184 ,  H01L33/00 182
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA41 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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