特許
J-GLOBAL ID：201003065891465212

トレンチ基板及びその製造方法

発明者：
コ・ヨン ギャン

コ・ヨン ギャン について

, 
渡邊 良一

渡邊 良一 について

, 
リ・サン ス

リ・サン ス について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (5件)： 渡邉 一平 ,  木川 幸治 ,  菅野 重慶 ,  佐藤 博幸 ,  小池 成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-115606
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251676
出願日： 2009年05月12日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】メッキ偏差を減少させることができるトレンチ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】ベース基板102、前記ベース基板102の一面または両面に積層され、回路領域を含み製品縁部のダミー領域にトレンチが形成された絶縁層112、及び前記回路領域に形成されたトレンチの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む回路層124を含む。製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域にメッキ偏差の改善のためのトレンチが形成されることにより、メッキ工程の際、絶縁層上に形成されるメッキ層の偏差を改善することができる。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
ベース基板; 前記ベース基板の一面または両面に積層され、回路領域を含み製品縁部のダミー領域にトレンチが形成された絶縁層;及び 前記回路領域に形成されたトレンチの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む回路層; を含むことを特徴とする、トレンチ基板。
IPC (4件)：
H05K 3/22 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/18 ,  H05K 1/02
FI (4件)：
H05K3/22 B ,  H05K3/00 X ,  H05K3/18 H ,  H05K1/02 C
Fターム (13件)：
5E338BB02 ,  5E338BB12 ,  5E338BB19 ,  5E338CD05 ,  5E338EE31 ,  5E343BB02 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343ER49 ,  5E343GG06 ,  5E343GG08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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