特許
J-GLOBAL ID：200903048964028808
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-276527
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098286
出願日： 2006年10月10日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】少なくとも素子形成領域上において、半導体基板上に形成される上層の表面の平坦性を確保することができながら、その平坦性の確保のためのパターンの形成に必要なパターンデータの量の低減を図ることができる、半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体基板2を備えている。半導体基板2には、トランジスタなどの複数の素子が形成される素子形成領域3が設定されている。素子形成領域3において、半導体基板2の表層部には、各素子が形成される領域を分離するためのトレンチパターンが形成されている。また、半導体基板2の表層部には、素子形成領域3の外周を取り囲む帯環状凹部5が素子形成領域3の外周に沿って形成されている。さらに、半導体基板2の表層部には、帯環状凹部5の外周を取り囲む帯環状ダミーパターン6が帯環状凹部5の外周に沿って形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
複数の素子が形成される素子形成領域において、前記半導体基板の表面を掘り下げて形成され、各素子が形成される領域を分離するためのトレンチパターンと、
前記素子形成領域外において、前記半導体基板の表面を掘り下げて形成され、前記素子形成領域の外周に沿って当該外周を取り囲む帯環状凹部と、
前記帯環状凹部の深さに等しい高さを有し、前記帯環状凹部の外周に沿って当該外周を取り囲む帯環状ダミーパターンとを備えている、半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA46
, 5F032CA16
, 5F032DA02
, 5F032DA22
, 5F032DA33
