特許
J-GLOBAL ID:201003066026478585
ナノ構造電界効果型センサならびに同センサを形成する方法および使用する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-511384
公開番号(公開出願番号):特表2010-530063
出願日: 2008年06月06日
公開日(公表日): 2010年09月02日
要約:
化学的および生物学的な化学種を検出し、かつ放射線の変化を検出するソリッドステート電界効果トランジスタセンサが開示される。デバイスは、多孔性または構造化されたチャネルの区画を含むことにより、デバイス感度を向上させる。感知された生物学的、化学的または放射線の変化がチャネルのコンダクタンスの指数関数的な変化を引き起こすように、デバイスはフルデプレート型モードにおいて動作する。一実施形態において、チャネルの上に重なる誘電体層と、該誘電体層の上に重なる材料の層とをさらに備え、該材料の層は、放射性、化学的および生物学的な化学種から成るグループから検出される標的化学種と相互作用し、該材料の層は、連続的な層または離散的なアイランドのいずれかである。
請求項(抜粋):
生物学的、化学的または放射性の化学種を検出するセンサであって、該センサは、
基板と、
該基板の一部分の上に重なるように形成された絶縁体と、
該絶縁体の上に重なるように形成されたチャネルであって、該チャネル表面は、ナノ構造化されているかまたは細孔を含んでいる、チャネルと
を備え、
該センサは、感知された生物学的、化学的または放射性の化学種が、該電界効果型センサのチャネルのコンダクタンスにおける指数関数的な変化を引き起こすように、フルデプレート型モードで動作するように構成されている、
センサ。
IPC (5件):
G01N 27/414
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, G01N 27/416
, G01N 27/00
FI (10件):
G01N27/30 301V
, H01L29/78 625
, H01L29/28 100A
, G01N27/30 301N
, G01N27/30 301K
, G01N27/30 301R
, G01N27/46 336G
, G01N27/46 301G
, G01N27/00 J
, H01L29/78 626C
Fターム (56件):
2G060AA01
, 2G060AA05
, 2G060AB24
, 2G060AB26
, 2G060AD06
, 2G060AE19
, 2G060AF03
, 2G060AF10
, 2G060BA07
, 2G060BB03
, 2G060BB04
, 2G060DA02
, 2G060DA07
, 2G060DA10
, 2G060DA14
, 2G060DA15
, 2G060DA17
, 2G060DA33
, 5F110AA04
, 5F110AA30
, 5F110BB09
, 5F110CC04
, 5F110DD01
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE08
, 5F110EE30
, 5F110EE38
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG05
, 5F110GG17
, 5F110GG22
, 5F110GG23
, 5F110GG24
, 5F110GG29
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG58
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ16
, 5F110HK02
, 5F110HK32
, 5F110NN66
引用特許:
引用文献:
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