電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山下穣平 , 志村博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-291523
公開番号（公開出願番号）：特開2005-061960
出願日： 2003年08月11日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】多孔質膜を電界効果トランジスタの感応部に形成することで、測定感度が高く応答性に優れたセンサを提供する。【解決手段】電界効果トランジスタの感応部(ここではゲート絶縁膜)上に形成された基板に対してほぼ垂直に形成された円柱状の細孔105を有する多孔質体106と電界効果トランジスタから構成される。多孔質膜として基板に垂直な細孔を有するシリコンまたはゲルマニウムあるいはシリコンとゲルマニウムの複合物を主成分(酸素を除く)とする半導体材料からなる多孔質膜、あるいは、酸化シリコンを主成分とする絶縁体材料からなる多孔質膜を使用する。多孔質膜内の細孔は円柱状であり、細孔の平均孔径は1ナノメートル以上20ナノメートル以下で、その平均密度は1.5×1011個/cm2以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁層を介して基板にほぼ垂直な柱状細孔を有する多孔質膜を備え、該多孔質膜は、第一の成分を含み構成される柱状物質が、前記第一の成分と共晶を形成し得る第二の成分を含み構成される部材中に分散している構造体から、該柱状物質を除去して形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

G01N27/414 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (4件)：

G01N27/30 301V , H01L29/78 301U , H01L29/78 625 , G01N27/30 301Z

Fターム (36件)：

5F110AA01 , 5F110BB09 , 5F110CC03 , 5F110DD02 , 5F110EE08 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F140AA01 , 5F140AC36 , 5F140AC37 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF33 , 5F140BF42 , 5F140BG26 , 5F140BG30 , 5F140BG33 , 5F140BG37 , 5F140BG38 , 5F140BG41 , 5F140BG44 , 5F140BK13

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭56-76043号公報
測定装置の製造方法並びにその製造方法により製造された測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-003629 出願人：ドイチェ・アイティーティー・インダストリーズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクタ・ハフツンク

審査官引用 (8件)

ナノ構造体とその製造方法、電子放出素子及びカ-ボンナノチュ-ブデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-047540 出願人：キヤノン株式会社
シリコンをベースとした化学センサ、特にバイオセンサ
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-506928 出願人：フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング
酵素センサーおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-190618 出願人：沖電気工業株式会社

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