特許
J-GLOBAL ID:201003067155715450
複合磁性体、それを用いた回路基板、及びそれを用いた電子部品
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
池田 憲保
, 福田 修一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-275737
公開番号(公開出願番号):特開2010-103427
出願日: 2008年10月27日
公開日(公表日): 2010年05月06日
要約:
【課題】 金属磁性粉末を絶縁性材料中に分散して構成される場合であっても、高周波数帯域において、比透磁率の実部を向上させつつ、比誘電率の実部の増加を抑制することが可能な複合磁性体を提供する。【解決手段】本発明の複合磁性体は、金属磁性粉末を絶縁性材料中に10〜50体積%分散して構成されるものであり、金属磁性粉末は、比透磁率の実数部をμr’、比誘電率の実数部をεr’とした場合に、1GHzの周波数において、μr’が3以上であり、かつ、(μr’・εr’)-1/2が0.2以下であり、(μr’/εr’)1/2が0.3以上、1以下である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
金属磁性粉末を絶縁性材料中に10〜50体積%分散して構成され、
比透磁率の実数部をμr’、比誘電率の実数部をεr’とした場合に、1GHzの周波数において、μr’が5以上であり、かつ、(μr’・εr’)-1/2が0.2以下であり、(μr’/εr’)1/2が0.5以上、1以下となるように構成されていることを特徴とする複合磁性体。
IPC (5件):
H01F 1/26
, H01Q 7/06
, H05K 1/03
, H01L 23/14
, H01F 1/14
FI (6件):
H01F1/26
, H01Q7/06
, H05K1/03 610R
, H01L23/14 M
, H01L23/14 R
, H01F1/14 Z
Fターム (3件):
5E041AA11
, 5E041BB03
, 5E041CA10
引用特許:
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