特許
J-GLOBAL ID：201003070176962571

半導体装置

発明者：
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-251914
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135770
出願日： 2009年11月02日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】酸化物半導体に水分や酸素などの不純物が混入することを防止し、酸化物半導体を用いた半導体装置の半導体特性の変動を抑制することを課題の一とする。または、信頼性に優れた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられた第1の酸化物半導体層と、ソース電極及びドレイン電極と第1の酸化物半導体層との間に設けられたソース領域及びドレイン領域とを有し、第1の酸化物半導体層と接してバリア膜が設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に設けられたゲート電極層と、 前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられた第1の酸化物半導体層と、 前記ソース電極及びドレイン電極と第1の酸化物半導体層との間に設けられたソース領域及びドレイン領域とを有し、 前記第1の酸化物半導体層と接してバリア膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 616V
Fターム (49件)：
5F110AA14 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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