光検出器およびそれを備えた光集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-057428
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212469
出願日： 2009年03月11日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。【解決手段】n+型c-Ge層2、i型c-Ge層3およびp+型c-Ge層4が光導波路30に近接してシリコン基板1上に積層される。光導波路30は、クラッド20に接してクラッド20上に形成されている。n+型c-Ge層2の膜厚(0.6μm)がクラッド20の厚み(1.4μm)よりも薄く、かつ、n+型c-Ge層2の膜厚とi型c-Ge層3の膜厚との合計(2.0μm)がクラッド20の厚みと光導波路30の厚みとの合計(1.7μm)よりも大きい。その結果、光導波路30中を伝搬する光は、光検出器10のi型c-Ge層3へ入射され、n+型c-Ge層2およびp+型c-Ge層4へ入射されない。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の面内方向において前記半導体基板上の光導波路に近接して前記光導波路に略平行に配置され、前記半導体基板の材料と異なる半導体材料からなる光検出素子とを備え、前記光検出素子は、第1の導電型を有し、キャリア濃度を制御するための不純物の濃度が欠陥による暗電流の増加を防止可能な第1のしきい値以上である第1の半導体層と、前記第1の半導体層に接して形成されるとともに、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有し、前記ドーパントの濃度が第2のしきい値以下である第2の半導体層と、前記第2の半導体層に接して形成されるとともに、前記第1および第2の導電型と異なる第3の導電型を有し、前記ドーパントの濃度が前記第1のしきい値以上である第3の半導体層とを含み、前記第2のしきい値は、第1および第3の半導体層によって前記第2の半導体層に印加される電界が前記第2の半導体層の全体に分布する前記不純物の濃度の最大値であり、前記第1および第3の半導体層の各々は、前記光導波路からの光を受けず、前記第2の半導体層は、前記光導波路からの光を受け、その受けた光を電気に変換する、光検出器。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 31/023 , G02B 6/122

FI (3件)：

H01L31/10 A , H01L31/02 C , G02B6/12 B

Fターム (47件)：

2H147AB04 , 2H147AB05 , 2H147AC01 , 2H147EA10D , 2H147EA12D , 2H147EA13A , 2H147EA13C , 2H147EA14B , 2H147EA14D , 2H147FA05 , 2H147FA17 , 2H147FC02 , 2H147FF04 , 2H147FF06 , 2H147FF07 , 2H147GA08 , 5F049MA04 , 5F049MB03 , 5F049NA03 , 5F049NA05 , 5F049NB01 , 5F049PA03 , 5F049PA05 , 5F049PA10 , 5F049PA14 , 5F049QA01 , 5F049QA20 , 5F049RA10 , 5F049SS03 , 5F049TA11 , 5F049TA20 , 5F049UA20 , 5F088AA02 , 5F088AB03 , 5F088BA02 , 5F088BA04 , 5F088BB01 , 5F088CB03 , 5F088CB05 , 5F088CB10 , 5F088CB14 , 5F088DA01 , 5F088DA20 , 5F088EA20 , 5F088GA03 , 5F088JA11 , 5F088JA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特許第4215812号
半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-223390 出願人：三菱電機株式会社
高パワーで大きいバンド幅の進行波光検出噐
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-130520 出願人：ヒューズ・エレクトロニクス・コーポレーション

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