特許
J-GLOBAL ID:201003070808599141

電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-130089
公開番号(公開出願番号):特開2010-279193
出願日: 2009年05月29日
公開日(公表日): 2010年12月09日
要約:
【課題】電力損失が小さな電力変換装置を提供する。【解決手段】この電力変換装置では、マイクロコンピュータ20は、NチャネルMOSトランジスタ42,43の飽和電圧がIGBT6,9の飽和電圧よりも低くなる低電流域では、NチャネルMOSトランジスタ42,43およびIGBT7,10をオン/オフ制御し、IGBT6,9の飽和電圧がNチャネルMOSトランジスタ42,43の飽和電圧よりも低くなる高電流域では、IGBT6,7,9,10をオン/オフ制御する。したがって、トランジスタの直流損失を低減できる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
直流電力を交流電力に変換して負荷に供給する電力変換装置であって、 第1の直流電圧を受ける第1の電源端子と前記負荷の一方端子との間に並列接続される第1の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびMOSトランジスタと、 前記第1の直流電圧と異なる第2の直流電圧を受ける第2の電源端子と前記負荷の他方端子との間に接続される第2の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと、 それぞれ前記第1および第2の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに逆並列に接続された第1および第2のダイオードと、 負荷電流を検出する電流検出器と、 前記負荷電流が予め定められたしきい値電流よりも低い場合は、前記MOSトランジスタを第1の周波数でオン/オフ制御するとともに前記第2の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを前記第1の周波数よりも高い第2の周波数でオン/オフ制御し、前記負荷に流れる電流が前記しきい値電流よりも高い場合は、前記第1の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを前記第1の周波数でオン/オフ制御するとともに前記第2の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを前記第2の周波数でオン/オフ制御する制御回路とを備える、電力変換装置。
IPC (2件):
H02M 7/48 ,  H02M 1/08
FI (2件):
H02M7/48 E ,  H02M1/08 341B
Fターム (17件):
5H007AA02 ,  5H007CA01 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC05 ,  5H007DA06 ,  5H007DB02 ,  5H007DB07 ,  5H007DC02 ,  5H007DC05 ,  5H007EA02 ,  5H740BA11 ,  5H740BA12 ,  5H740BA15 ,  5H740BB02 ,  5H740BB08 ,  5H740MM01
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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