電力変換回路、当該導体構造および電力用スイッチング素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：波多野久 , 関口俊三 , 猿渡章雄 , 河村修 , 山田毅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-107851
公開番号（公開出願番号）：特開2008-271637
出願日： 2007年04月17日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】低オン抵抗のMOSFETを多並列接続し大電力、高効率な小型の電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換回路1Aは、直流電圧源11に帰還ダイオードを内蔵したMOSFET14を2つ並列接続して構成される主回路スイッチング素子ユニット15を少なくとも1以上並列接続して構成される主回路スイッチングデバイス16と、主回路スイッチングデバイス16を直列接続して各主回路スイッチングデバイス16の間から負荷へ電力供給する端子18と、主回路スイッチング素子ユニット15の還流ダイオード遮断時に直流電圧源11の電圧より低い直流電圧の低電圧直流電源24を還流ダイオード17に個別印加する逆電圧印加回路21と、逆電圧印加回路21から主回路スイッチング素子ユニット15に逆電圧を印加する補助ダイオード27を備え、逆電圧印加回路21は、多並列接続されたMOSFET14に分担して逆電圧を与える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

直流電圧源に主回路スイッチング素子を2つ並列接続して構成される主回路スイッチング素子ユニットを少なくとも1ユニット以上並列接続して構成される主回路スイッチングデバイスと、前記主回路スイッチングデバイスを直列接続して各主回路スイッチングデバイスの間から負荷に電力を供給する負荷端子と、前記主回路スイッチング素子ユニットの還流ダイオードの遮断時に前記直流電圧源の電圧より低い直流電圧を前記還流ダイオードに印加する個別の低電圧直流電圧源で構成された逆電圧印加回路と、前記逆電圧印加回路から前記主回路スイッチング素子ユニットに逆電圧を印加する補助ダイオードを備え、前記逆電圧印加回路は、多並列接続された前記主回路スイッチング素子に分担して逆電圧を与えるように構成されたことを特徴とする電力変換回路。

IPC (2件)：

H02M 7/48 , H02M 7/538

FI (2件)：

H02M7/48 E , H02M7/5387 Z

Fターム (8件)：

5H007AA02 , 5H007CA02 , 5H007CB05 , 5H007CC05 , 5H007DB03 , 5H007DB09 , 5H007HA03 , 5H007HA04

引用特許：

出願人引用 (5件)

電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-133587 出願人：株式会社東芝
電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-265013 出願人：東芝キヤリア株式会社, 株式会社東芝
電気車用スイッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-031693 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング

全件表示

審査官引用 (4件)

電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-265013 出願人：東芝キヤリア株式会社, 株式会社東芝
電気車用スイッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-031693 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
インバータ回路の駆動装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-045448 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る