特許
J-GLOBAL ID：201003071699484157
レジストパターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 昇
, 原田 三十義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-094297
公開番号（公開出願番号）：特開2010-243918
出願日： 2009年04月08日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の表面の濡れ性を高め、現像の均一性を高める。【解決手段】基板91に感光性のレジストを塗布してレジスト層93を形成する(レジスト塗布工程)。次に、レジスト層93に部分的に光を照射する(露光工程)。次に、親液化用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間23に通して吹出し、レジスト層93に接触させる(大気圧リモートプラズマ親液化工程)。次に、レジスト層93に現像液5を接触させる(現像工程)。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
デバイスの基板に感光性のレジストを塗布してレジスト層を形成するレジスト塗布工程と、
前記レジスト層に部分的に光を照射する露光工程と、
親液化用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間に通して吹出し前記レジスト層に接触させる大気圧リモートプラズマ親液化工程と、
前記レジスト層に現像液を接触させる現像工程と、
を順次実行することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38
, H01L 21/027
, G03F 1/08
G03F7/38 511
, H01L21/30 568
, G03F1/08 A
2H095BB28
, 2H095BC01
, 2H096AA24
, 2H096BA09
, 2H096FA04
, 2H096JA03
, 5F046JA22
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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