特許

J-GLOBAL ID：201003071741524857

半導体装置およびその作製方法

発明者： 坂田 淳一郎 ,  島津 貴志 ,  大原 宏樹 ,  佐々木 俊成 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-004770
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192881
出願日： 2010年01月13日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。【解決手段】チャネル形成領域にSiOxを含む酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極層及びドレイン電極層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記SiOxを含む酸化物半導体層との間にソース領域またはドレイン領域を設ける。ソース領域またはドレイン領域は、SiOxを含まない酸化物半導体層または酸窒化物膜を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上にゲート電極と、 SiOxを含む酸化物半導体層と、 前記ゲート電極と前記酸化物半導体層の間に絶縁層と、 前記SiOxを含む酸化物半導体層とソース電極層またはドレイン電極層との間にソース領域またはドレイン領域とを有し、 前記ソース領域またはドレイン領域は、酸窒化物材料である半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50

FI (9件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616L ,  H01L21/90 A ,  G02F1/1368 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A

Fターム (113件)：

2H092GA11 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB56 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092PA06 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107EE04 ,  3K107HH04 ,  5F033GG01 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL02 ,  5F033MM05 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR20 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV15 ,  5F033XX09 ,  5F110AA03 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG26 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-217272   出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
• 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-074630   出願人：キヤノン株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325371   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学