特許
J-GLOBAL ID：200903081268477905
GaN系発光ダイオードの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-314909
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201424
出願日： 2006年11月21日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】通電に伴い逆方向電流が著しく増加する問題が改善されたGaN系LEDを製造するための方法を提供すること。【解決手段】(a)基板1の上にn型GaN系半導体層3を成長させる工程と、(b)n型GaN系半導体層3の上に、GaN系半導体からなる中間層4を、その上面に六角形状の開口部を有するピット径0.05μm以上のピットが形成されるように、低くした基板温度にて成長させる工程と、(c)中間層4の上に、活性層5のうち、少なくとも、中間層4から最も離れた位置に形成する井戸層までの部分を、中間層4の上面のピットを埋め込まないように成長させる工程と、(d)(c)の工程の後、中間層4から活性層5にわたり形成されたピットを埋め込む工程と、(e)(d)の工程の後、活性層5の上にp型GaN系半導体層6を成長させる工程と、を有し、(d)の工程では、前記ピットを埋め込むために基板温度を上昇させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
少なくともひとつの井戸層を含む活性層を備えたGaN系発光ダイオードの製造方法であって、
(a)基板の上にn型GaN系半導体層を成長させる工程と、
(b)前記n型GaN系半導体層の上に、GaN系半導体からなる中間層を、その上面に六角形状の開口部を有するピット径0.05μm以上のピットが形成されるように、低くした基板温度にて成長させる工程と、
(c)前記中間層の上に、活性層のうち、少なくとも、該中間層から最も離れた位置に形成する井戸層までの部分を、該中間層の上面のピットを埋め込まないように成長させる工程と、
(d)(c)の工程の後、前記中間層から前記活性層にわたり形成されたピットを埋め込む工程と、
(e)(d)の工程の後、前記活性層の上にp型GaN系半導体層を成長させる工程と、
を有し、
前記(d)の工程では、前記ピットを埋め込むために基板温度を上昇させることを特徴とする、GaN系発光ダイオードの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA44
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA73
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
