窒化物半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199829
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068594
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 LED及びLD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vf、閾値電圧を低下させて素子の信頼性を向上させる。【解決手段】基板と活性層の間に、少なくとも一方にはn型不純物がドープされた第1と第2の窒化物半導体層を含む複数の層が積層された超格子層を備えた。

請求項（抜粋）：

基板と活性層の間に、少なくとも一方にはn型不純物がドープされた第1と第2の窒化物半導体層を含む複数の層が積層された超格子層を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/30 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Fターム (23件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA14 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CB04 , 5F041CB05 , 5F041FF01 , 5F041FF11 , 5F073AA04 , 5F073AA55 , 5F073AA71 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AA76 , 5F073AA77 , 5F073BA09 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-293580 出願人：ソニー株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-305257 出願人：旭化成工業株式会社
窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292304 出願人：日亜化学工業株式会社

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