特許
J-GLOBAL ID：201003077550965541
熱処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-067918
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225613
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】光照射によって加熱される基板の温度を直接かつ正確に測定することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハーWはハロゲンランプHLからの光照射によって所定温度にまで予備加熱された後、フラッシュランプFLによってフラッシュ加熱される。半導体ウェハーWの温度は長波長放射温度計120および短波長放射温度計130によって測定される。サーモパイルを有する長波長放射温度計120は、石英の下側チャンバー窓64を透過しない波長域にて測定するため、ハロゲンランプHLの光が外乱光とならずに温度測定を行うことができる。シリコンのフォトダイオードを有する短波長放射温度計130は、ハロゲンランプHLからの放射光をシャッターによって遮光しているときには、長波長放射温度計120よりも高い測定精度および応答速度にて温度測定を行うことができる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段の一方側に設けられ、前記保持手段に保持された基板に光を照射して加熱する光照射手段と、
前記保持手段と前記光照射手段との間に設けられ、前記光照射手段から出射された光を透過する石英窓と、
前記保持手段と前記石英窓との間の位置に設けられ、前記保持部材に保持された基板の前記一方側から放射される第1の波長域の赤外線を受光して当該基板の温度を測定する第1放射温度計と、
を備え、
前記第1の波長域は石英を透過しない波長域であることを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/26 T
, H01L21/68 N
5F031CA02
, 5F031HA09
, 5F031HA12
, 5F031HA58
, 5F031MA30
