特許
J-GLOBAL ID:200903058752020020
加熱源の組み合わせを使用する半導体パルス加熱処理方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
, 岡澤 順生
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-582488
公開番号(公開出願番号):特表2005-527972
出願日: 2003年03月19日
公開日(公表日): 2005年09月15日
要約:
半導体基板のような物体を加熱するパルス処理方法およびシステムは、単一の基板のマルチパルス処理、または異なった物理特性を有する異なった基板の単一パルス処理またはマルチパルス処理のプロセス制御を特徴とする。熱は、バックグラウンド加熱モードの間に、物体(36)へ制御可能な方法で加えられ、それによって選択的に物体(36)を加熱して、バックグラウンド加熱の間に物体の全体の温度上昇を少なくともおおまかに生成する。物体(36)の第1表面は、少なくとも第1のエネルギー・パルスへ物体を曝すことによって、パルス加熱モードで加熱される。バックグラウンド加熱は、第1のパルスとの時間関係で制御される。第1のエネルギー・パルスに対する物体の第1の温度応答は、少なくとも第2のエネルギー・パルスについて少なくとも第2のパルス・パラメータのセットを確立し、少なくとも部分的に目標条件を生成するためにセンスおよび使用される。
請求項(抜粋):
第1および第2の表面を含む対向する主面を有する物体を処理する方法であって、
加熱配列を使用して、バックグラウンド加熱モードの間、制御可能な方法で物体へ熱を加え、それによって物体の全体で少なくともおおまかに温度上昇を生成するように物体を選択的に加熱し、
或る持続時間を有する少なくとも第1のエネルギー・パルスへ第1の表面を曝すことによって、前記バックグラウンド加熱モードと協力して、パルス加熱モードで加熱配列を使用して物体の第1の表面を加熱し、
前記第1のパルスとの時間関係で前記バックグラウンド加熱モードを制御する
ステップを含む方法。
IPC (5件):
H01L21/26
, F27D11/02
, H01L21/268
, H05B3/00
, H05B3/68
FI (7件):
H01L21/26 T
, F27D11/02 Z
, H01L21/268 F
, H05B3/00 310D
, H05B3/68
, H01L21/26 J
, H01L21/26 F
Fターム (19件):
3K058AA86
, 3K058BA14
, 3K058BA19
, 3K058CA52
, 3K058CA92
, 3K058CB23
, 3K058CE16
, 3K092PP09
, 3K092QA01
, 3K092QB24
, 3K092QB27
, 3K092QB51
, 3K092UA01
, 3K092UC07
, 3K092VV22
, 4K063AA05
, 4K063BA12
, 4K063CA03
, 4K063FA13
引用特許:
審査官引用 (10件)
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特開昭60-258928
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特開昭55-067132
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光照射加熱装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-284034
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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特開昭58-127381
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特開昭63-181419
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放熱物体の温度測定に使用する角濾波による放射輝度の測定
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-264498
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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電磁放射の測定方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-348407
出願人:シュテアクアーエステーエレクトロニクゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
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特開昭57-050427
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熱処理方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-398434
出願人:ウシオ電機株式会社
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熱処理方法およびシステム
公報種別:公表公報
出願番号:特願2002-548756
出願人:ボルテックインダストリーズリミテッド
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