半導体配線の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：植木久一 , 菅河忠志 , 二口治 , 伊藤浩彰 , 植木久彦 , 植村純子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-009971
公開番号（公開出願番号）：特開2010-171063
出願日： 2009年01月20日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】例えばULSI(超大規模集積回路)等に代表されるSi半導体デバイス等の半導体装置において、高性能(低電気抵抗率)かつ高信頼性(高EM耐性)を示すCu系配線を提供する。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にCu-Ti合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のCu系配線の製造方法であって、前記Cu-Ti合金が、Tiを0.5原子%以上3.0原子%以下含むものであり、かつ、前記Cu-Ti合金をスパッタリング法で形成し、該Cu-Ti合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Cu-Ti合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のCu系配線の製造方法。(加熱条件)加熱温度:350〜600°C加熱時間:10〜120min.室温から上記加熱温度までの昇温速度:10°C/min.以上加熱雰囲気における酸素分圧:1×10-7〜1×10-4atm【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にCu-Ti合金が直接埋め込まれてなる半導体配線の製造方法であって、前記Cu-Ti合金がTiを0.5原子%以上3.0原子%以下含むものであり、かつ、前記Cu-Ti合金をスパッタリング法で形成し、該Cu-Ti合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Cu-Ti合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体配線の製造方法。 (加熱条件) 加熱温度:350〜600°C 加熱時間:10〜120min. 室温から上記加熱温度までの昇温速度:10°C/min.以上加熱雰囲気における酸素分圧:1×10-7〜1×10-4atm

IPC (5件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/285 , C23C 14/34 , C23C 14/58

FI (5件)：

H01L21/88 M , H01L21/285 S , H01L21/88 B , C23C14/34 A , C23C14/58 A

Fターム (48件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA21 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC15 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029FA01 , 4K029GA01 , 4M104BB04 , 4M104BB25 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104HH01 , 4M104HH16 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH27 , 5F033HH31 , 5F033LL02 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP20 , 5F033PP27 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033XX10 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体配線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-077443 出願人：株式会社神戸製鋼所, 国立大学法人京都大学
半導体配線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-192153 出願人：株式会社神戸製鋼所, 国立大学法人京都大学
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-350176 出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

Self-Formation of Ti-rich Interfacial Layers in Cu(Ti) Alloy Films

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