半導体配線の製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：植木久一 , 菅河忠志 , 二口治 , 伊藤浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077443
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258256
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にCu合金が埋め込まれた半導体配線を製造するに当たり、凹部にCu合金を埋め込むことができ、しかも配線の電気抵抗率を上げることなく絶縁膜とCu配線の界面にバリア層を形成することができる配線の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた、最小幅が0.15μm以下で、該最小幅に対する深さの比[深さ/最小幅比]が1以上である凹部の表面に、Tiを0.5〜3原子%とNを0.4〜2.0原子%含有するCu合金を形成した後、200°C以上、50MPa以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Cu合金を埋め込むことによって半導体配線を形成すればよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にCu合金が埋め込まれた半導体配線を製造する方法であって、前記凹部は、最小幅が0.15μm以下で、該最小幅に対する深さの比[深さ/最小幅比]が1以上であり、この凹部の表面にTiを0.5〜3原子%とNを0.4〜2.0原子%含有するCu合金を形成した後、 200°C以上、50MPa以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Cu合金を埋め込むことによって半導体配線を形成することを特徴とする半導体配線の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/285 , C23C 14/14

FI (4件)：

H01L21/88 M , H01L21/88 B , H01L21/285 S , C23C14/14 D

Fターム (51件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA21 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA06 , 4K029DC15 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029GA01 , 4M104BB04 , 4M104BB36 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD79 , 4M104HH05 , 4M104HH16 , 5F033HH12 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM15 , 5F033PP15 , 5F033PP20 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ86 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS04 , 5F033TT08 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033XX02 , 5F033XX10 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

配線膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-183875 出願人：株式会社神戸製鋼所

審査官引用 (2件)

配線膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-231595 出願人：株式会社神戸製鋼所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-221872 出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (2件)

"Formation of Ti Diffusion Barrier Layers in Thin Cu(Ti) Alloy Films"
「ナノメタル技術実用金属材料分野ナノメタル技術開発」中間報告

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