特許

J-GLOBAL ID：200903026903080145

半導体配線の製造方法

発明者： 大西 隆 ,  武田 実佳子 ,  水野 雅夫 ,  着本 享 ,  可部 達也 ,  森田 敏文 ,  守山 実希 ,  伊藤 和博 ,  村上 正紀
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  国立大学法人京都大学
代理人 (4件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-192153
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021807
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】絶縁膜に設けられた凹部の最小幅が狭く、深い場合でも、バリア層としてTi濃化層を形成することができ、しかも純Cuを配線材料として凹部の隅々に亘って埋め込むことができる半導体配線の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に最小幅が0.15μm以下、該最小幅に対する深さの比(深さ/最小幅)が1以上の凹部を形成し、この絶縁膜の凹部に、Tiを0.5〜10原子%含有するCu合金薄膜を凹部形状に沿って10〜50nmの厚さで形成した後、Cu合金薄膜付き凹部に純Cu薄膜を形成し、350°C以上に加熱して絶縁膜とCu合金薄膜との間にTiを析出させればよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜に最小幅が0.15μm以下、該最小幅に対する深さの比(深さ/最小幅)が1以上の凹部を形成し、この絶縁膜の凹部に、Tiを0.5〜10原子%含有するCu合金薄膜を凹部形状に沿って10〜50nmの厚さで形成した後、Cu合金薄膜付き凹部に純Cu薄膜を形成し、350°C以上に加熱して絶縁膜とCu合金薄膜との間にTiを析出させることを特徴とする半導体配線の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L21/88 B ,  H01L21/88 R ,  H01L21/28 301R

Fターム (40件)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104HH14 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ86 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033XX04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 配線膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-183875   出願人：株式会社神戸製鋼所

審査官引用 (3件)

• メタライゼーション構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-164090   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 配線膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-231595   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 半導体集積回路装置の製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-179191   出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Formation of Ti Diffusion Barrier Layers in Thin Cu(Ti) Alloy Films"