特許
J-GLOBAL ID:201003078350221978

酸化亜鉛透明導電膜の製造方法及びこの方法を実施するための製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木幡 行雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-113721
公開番号(公開出願番号):特開2010-261084
出願日: 2009年05月08日
公開日(公表日): 2010年11月18日
要約:
【課題】 毒性のない透明導電膜の低抵抗率化と大面積化を可能とし、製造過程に於ける基板選択性を高め低コスト化と同時に省エネルギー化を図る。【解決手段】 透明基板1上の酸化亜鉛試料2に電位を与えておき、前面に酸素プラズマOPを形成し、プラズマ空間電位を直流電源9、交流電源10又はパルス電源11で制御する。酸素プラズマOPの電子温度分布を変化させ、酸化亜鉛試料2と酸素プラズマOPとの間のシース電圧を制御し、亜鉛蒸気ZVを亜鉛Znショット8を加熱して生成させ、非晶質の透明基板1付近の各種粒子の量及び運動量等を質量分析装置14とプラズマ発光分析装置13でモニタリングし、各量をオーブンの三次元移動、酸素ガス質量流量、プラズマ生成電源電力等で制御し、得られるZnO透明導電膜の元素成分を、亜鉛と酸素のいずれか低い存在量に対して、亜鉛、酸素及び水素を除く不純物元素の比が0.4%以下となるように制御する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
(1)基板上に堆積される酸化亜鉛試料又は酸素プラズマ中に含浸した参照電極に後記(4)の(a)、(b)、(c)のいずれかの電位付与手段により所要電位が付与されるようにしておくこと、 (2)前記酸化亜鉛試料の堆積する部位の周辺のみに電気的に浮遊の酸素プラズマを形成すること、 (3)前記酸素プラズマ中の前記基板に対面する付近に亜鉛Znの蒸気を導入すること、 (4)前記酸素プラズマの空間電位(プラズマ電位)を、(a)直流的電位付与手段、(b)50Hz〜2.45GHzの周波数範囲で制御する交流的電位付与手段又は(c)パルス的電位付与手段の3種の電位付与手段から選択された参照電極への電位付与手段により制御すること、 (5)前記酸素プラズマの電子速度分布を変化させることにより、前記基板上に堆積した酸化亜鉛試料と前記酸素プラズマとの間に形成されるシース電圧を制御すること、 (6)前記基板の周辺の酸素原子、酸素分子及び亜鉛原子のそれぞれの量及び運動量を質量分析装置並びにプラズマ発光分析装置によってモニタリングし、それぞれの量及び運動量を上記オーブン位置の三次元移動、酸素ガス質量流量、プラズマ生成電源の波形(電圧、電流、周波数、位相)の各々の制御、並びに前記(4)に記載の電位付与手段を用いた前記酸素プラズマの空間電位と電子温度の制御及び前記(3)による亜鉛Znの蒸気の前記酸素プラズマ空間への導入量の調整により、複合的制御を行うこと、 (7)以上の各操作又は制御動作を、前記基板上に堆積する準アンドープの酸化亜鉛ZnO透明導電膜の成分が、亜鉛と酸素とのいずれか低い方の存在量に対して、亜鉛と酸素及び水素とを除く不純物元素の成分比が0.4%以下になるように調整すること、からなる酸化亜鉛透明導電膜の製造方法。
IPC (7件):
C23C 14/54 ,  H01B 13/00 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/08 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (9件):
C23C14/54 B ,  H01B13/00 503B ,  C23C14/32 A ,  C23C14/54 F ,  C23C14/08 C ,  C23C14/32 B ,  H05B33/28 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (36件):
3K107AA01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD22 ,  3K107DD27 ,  3K107DD46X ,  3K107DD46Y ,  3K107FF14 ,  3K107FF17 ,  3K107GG00 ,  3K107GG04 ,  3K107GG28 ,  3K107GG32 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA04 ,  4K029DA04 ,  4K029DB03 ,  4K029DB17 ,  4K029DB19 ,  4K029DD02 ,  4K029EA05 ,  4K029EA06 ,  4K029EA09 ,  5F103AA08 ,  5F103BB32 ,  5F103BB56 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL04 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • アーク堆積法及び装置
    公報種別:公表公報   出願番号:特願2000-605803   出願人:ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
  • 特開昭56-063821
審査官引用 (4件)
  • アーク堆積法及び装置
    公報種別:公表公報   出願番号:特願2000-605803   出願人:ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
  • 特開昭56-063821
  • 特開昭56-063821
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引用文献:
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