特許

J-GLOBAL ID：201003078548334778

炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法

発明者： 穂永 美紗子 ,  原田 真
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-292370
公開番号（公開出願番号）：特開2010-041021
出願日： 2008年11月14日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】高いチャネル移動度を再現性良く実現することができる炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】{0001}面に対して50°以上65°以下の範囲内で傾いている表面を有する炭化ケイ素からなる半導体層と、半導体層の表面に接触するように形成された絶縁膜とを備え、半導体層と絶縁膜との界面から10nm以内の領域における窒素濃度の最大値が1×1021cm-3以上であって、半導体層の表面内において<-2110>方向に直交する方向±10°の範囲内にチャネル方向を有する炭化ケイ素半導体装置とその製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

{0001}面に対して50°以上65°以下の範囲内で傾いている表面を有する炭化ケイ素からなる半導体層と、 前記半導体層の前記表面に接触するように形成された絶縁膜とを備え、 前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の領域における窒素濃度の最大値が1×1021cm-3以上であって、 前記半導体層の前記表面内において<-2110>方向に直交する方向±10°の範囲内にチャネル方向を有する、炭化ケイ素半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 658E ,  H01L21/316 S ,  H01L21/316 P

Fターム (8件)：

5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BD03 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開第01/018872号パンフレット
  

審査官引用 (4件)

• MOSデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-060383   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-023755   出願人：松下電器産業株式会社
• 炭化珪素半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-160514   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-198351   出願人：住友電気工業株式会社