特許
J-GLOBAL ID：201003079307228140

ネガ型レジスト組成物、パターン形成方法、ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調製方法

発明者：
田中 啓順

田中 啓順 について

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増永 恵一

増永 恵一 について

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土門 大将

土門 大将 について

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渡邉 聡

渡邉 聡 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-119854
公開番号（公開出願番号）：特開2010-266803
出願日： 2009年05月18日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】 エッチング耐性および解像性に優れ、基板界面においても良好なパターン形状を与えるネガ型レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調整方法を提供することを目的とする。【解決手段】 (A)アルカリ可溶性であり、酸の作用によりアルカリ不溶性となるベース樹脂、及び/又は、アルカリ可溶性であり、酸の作用により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベース樹脂と架橋剤の組み合わせ、(B)酸発生剤、(C)塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有し、50〜100nmの膜厚X(nm)を有するレジスト膜を成膜するためのネガ型レジスト組成物であって、アルカリ現像液に対する溶解速度が、0.0333X-1.0(nm/sec)以上0.0667X-1.6(nm/sec)以下の値となるものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、 (A)アルカリ可溶性であり、酸の作用によりアルカリ不溶性となるベース樹脂、及び/又は、アルカリ可溶性であり、酸の作用により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベース樹脂と架橋剤の組み合わせ、 (B)酸発生剤、 (C)塩基性成分として窒素を含有する化合物 を含有し、レジストパターンを形成するために露光処理、アルカリ現像液による現像処理を施す50〜100nmの膜厚X(nm)を有するレジスト膜を成膜するためのネガ型レジスト組成物であって、 該ネガ型レジスト組成物は、前記パターン形成する際の成膜条件でレジスト膜を成膜した場合に、前記パターン形成する際の現像処理で用いるアルカリ現像液に対する溶解速度が、0.0333X-1.0(nm/sec)以上0.0667X-1.6(nm/sec)以下の値となるものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/26
FI (4件)：
G03F7/038 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/26 501
Fターム (32件)：
2H096AA24 ,  2H096BA01 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H125AE02P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF38P ,  2H125AH08 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ43X ,  2H125AJ45X ,  2H125AJ47X ,  2H125AN02P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN65P ,  2H125AN82P ,  2H125AN86P ,  2H125BA02P ,  2H125BA22P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA08 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125CD10P ,  2H125CD20P ,  2H125CD31
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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