化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-087243
公開番号（公開出願番号）：特開2008-249762
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】ブリッジが発生しにくく、また、パターンの基板依存性の小さな化学増幅ネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(4)(式中、R1、R2はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、Xは電子吸引基を表す。また、mは0又は1〜4の整数であり、nは1〜5の整数である。)で示される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜50,000である高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)及び一般式(2)

IPC (5件)：

G03F 7/038 , H01L 21/027 , C08F 210/14 , C08F 232/08 , C08F 12/02

FI (5件)：

G03F7/038 601 , H01L21/30 502R , C08F210/14 , C08F232/08 , C08F12/02

Fターム (37件)：

2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB08 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AD01 , 2H025BE07 , 2H025CB16 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AB08Q , 4J100AB09Q , 4J100AR10R , 4J100BA03P , 4J100BA03R , 4J100BA40Q , 4J100BA41Q , 4J100BA56Q , 4J100BA58Q , 4J100BB01R , 4J100BB03R , 4J100BB05R , 4J100BB07R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA31 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100HA15 , 4J100HC45 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-013585 出願人：信越化学工業株式会社
ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-026452 出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (9件)

ネガ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-262775 出願人：富士写真フイルム株式会社
感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを備える電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-174454 出願人：JSR株式会社
重合性組成物及び平版印刷版原版
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-420733 出願人：富士写真フイルム株式会社

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