特許
J-GLOBAL ID：201003079826020727

ノズル形成方法

発明者：
グレゴリー デブラバンダー

グレゴリー デブラバンダー について

, 
マーク ニパムニシー

マーク ニパムニシー について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-289210
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267951
出願日： 2009年12月21日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】ノズル列全体が位置合わせされたノズルデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】垂直壁を有する穴に接続されたテーパー部を有する流体吐出ノズルについて記載する。ノズルの列がダイ全体に渡って形成され、複数のダイが半導体基板に形成されたときでも、テーパー部と穴とが互いに位置合わせされるように、ノズルのテーパー部と垂直壁を有する穴との両方は、半導体層の片面から形成される。【選択図】図29
請求項（抜粋）：
流体吐出デバイスのノズルプレートを形成する方法であって、 半導体層と、前記半導体層に隣接したエッチング停止層と、を備えた多層基板の前記半導体層の第1の面をエッチングしてテーパー形状部を形成するステップと、 前記第1の面をエッチングして、垂直壁形状部を形成するステップと、 を備え、 前記垂直壁形状部の壁は、前記テーパー形状部の壁と交差し、かつ、前記半導体層の前記第1の面の面に垂直であるノズルプレートを形成する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  B41J 2/135
FI (2件)：
H01L21/306 S ,  B41J3/04 103N
Fターム (14件)：
2C057AF43 ,  2C057AF93 ,  2C057AG02 ,  2C057AG05 ,  2C057AP13 ,  2C057AP33 ,  2C057AP34 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14 ,  5F043AA02 ,  5F043AA09 ,  5F043BB02 ,  5F043DD15 ,  5F043FF04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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