特許
J-GLOBAL ID：201003080899359895

光位相制御素子および半導体発光素子

発明者：
吉田谷 弘明

吉田谷 弘明 について


出願人/特許権者：
アンリツ株式会社

アンリツ株式会社 について


代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-281217
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109237
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：
【課題】位相制御領域におけるキャリアの再結合および再結合に起因する光学利得を抑制し、電力消費を低減することができる光位相制御素子および半導体発光素子を提供する。【解決手段】n型InPからなる半導体基板11と、半導体基板11上に形成されたSiドープされたn型InPからなるn型クラッド層12と、n型クラッド層12上に形成され、入射された光の位相を変化させる活性導波路層13と、活性導波路層13上に形成されたZnドープされたp型InPからなるp型クラッド層14と、を備え、活性導波路層13は、4層のGaInAsPからなる電子閉じ込め層131と4層のAlGaInAsからなるホール閉じ込め層132が1層ずつ交互に積層された構造を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、入射された光の位相を変化させる活性導波路層を備え、 前記活性導波路層が、電子閉じ込め層とホール閉じ込め層とがスタッガード型バンド構造をなして交互に積層されてなることを特徴とする光位相制御素子。
IPC (3件)：
H01S 5/026 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/125
FI (3件)：
H01S5/026 618 ,  H01S5/343 ,  H01S5/125
Fターム (9件)：
5F173AB04 ,  5F173AB34 ,  5F173AD15 ,  5F173AF13 ,  5F173AF15 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AR06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-060489   出願人：日本電信電話株式会社
審査官引用 (5件)
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