特許
J-GLOBAL ID：200903015774005741
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-060489
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273644
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】モードホップが無く、制御が容易で波長可変域が大きく、素子劣化へ対応が容易である半導体レーザを提供すること。【解決手段】波長選択性を有する活性層502と、利得および波長選択性を有しない導波路コア503と、利得を有しない反射領域(導波路端面)509とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路コア503の光学的実効長を変化させるための位相制御用電極506を備えている。また、活性層502が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第1の利得を有する回折格子510を備えている。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
波長選択性を有する利得領域と、利得および波長選択性を有しない導波路領域と、利得を有しない反射領域とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、前記導波路領域の光学的実効長を変化させるための手段を備えていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F073AA65
, 5F073AA83
, 5F073BA02
, 5F073EA04
