特許
J-GLOBAL ID：201003081195297602

光電変換装置、電子機器、光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法

発明者：
田中 英樹

田中 英樹 について

, 
古沢 昌宏

古沢 昌宏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-232916
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067801
出願日： 2008年09月11日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：
【課題】特性の良好な光電変換装置を提供する。【解決手段】ナノ結晶粒(d)と、半導体層と、を有し、前記ナノ結晶粒は第1の半導体からなり、前記半導体層は、第2の半導体のアモルファス層に前記ナノ結晶粒を含有した第1の半導体層(7)を含む光電変換装置とする。前記第1の半導体と、前記第2の半導体とが同じ半導体である。かかる構成によれば、ナノ結晶粒と当該ナノ結晶粒を構成する前記半導体のアモルファス層とのバンドギャップ差に起因する量子井戸が形成され、光電変換効率の高い光電変換装置となる。特に、結晶性の異なる同一材料を用いることで、バンドギャップ差が比較的小さくなり、量子井戸の深さを浅くできる。その結果、キャリアが取り出しやすくなり、装置特性が向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光電変換装置であって、 ナノ結晶粒と、 半導体層と、 を有し、 前記ナノ結晶粒は第1の半導体からなり、 前記半導体層は、第2の半導体のアモルファス層に前記ナノ結晶粒を含有した第1の半導体層を含む、光電変換装置。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 N ,  H01L31/04 W
Fターム (20件)：
5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051DA04 ,  5F051DA13 ,  5F051DA16 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F151AA05 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151DA04 ,  5F151DA13 ,  5F151DA16 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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