特許
J-GLOBAL ID:200903090558881547
光電変換装置および光発電装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-144079
公開番号(公開出願番号):特開2004-363580
出願日: 2004年05月13日
公開日(公表日): 2004年12月24日
要約:
【課題】 高い信頼性を確保できる高効率な多層型薄膜太陽電池等の光電変換装置および光発電装置を提供すること。 【解決手段】 光活性層を有する光電変換ユニットの複数を積層体として備えるとともに、前記光電変換ユニットのうち少なくとも1つの光電変換ユニットの光活性層を、ラマン散乱スペクトルにより得られるTOモードの散乱ピーク強度に対するTAモードの散乱ピーク強度の比が0.35以下の非晶質系シリコン半導体薄膜で構成した光電変換装置とする。これにより、高い信頼性を確保できる高効率な多層型薄膜太陽電池等の光電変換装置およびそれを用いた光発電装置を提供することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光活性層を有する光電変換ユニットの複数を積層体として備えるとともに、前記複数の光電変換ユニットのうち少なくとも1つの光電変換ユニットの光活性層を、ラマン散乱スペクトルにより得られるTOモードの散乱ピーク強度に対するTAモードの散乱ピーク強度の比が0.35以下の非晶質系シリコン半導体薄膜で構成したことを特徴とする光電変換装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (12件):
5F051AA05
, 5F051BA17
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA16
, 5F051DA04
, 5F051DA17
, 5F051DA19
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5F051GA15
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (18件)
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引用文献:
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