レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟 , 柴山健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-213545
公開番号（公開出願番号）：特開2010-000542
出願日： 2009年09月15日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】切断の起点となる改質領域を確実に形成することができるレーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】加工対象物1の内部に集光されるレーザ光Lの収差が所定の収差以下となるように反射型空間光変調器203によって変調されたレーザ光Lが加工対象物1に照射される。そのため、レーザ光Lの集光点Pを合わせる位置で発生するレーザ光Lの収差を極力小さくして、その位置でのレーザ光Lのエネルギー密度を高め、切断の起点としての機能が高い改質領域7を形成することができる。しかも、反射型空間光変調器203を用いるため、透過型空間光変調器に比べてレーザ光Lの利用効率を向上させることができる。このようなレーザ光Lの利用効率の向上は、切断の起点となる改質領域7を板状の加工対象物1に形成する場合、特に重要である。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工方法であって、前記改質領域を形成する際には、前記加工対象物の内部において前記レーザ光の波面が所定の波面となるように反射型空間光変調器によって前記レーザ光を変調することを特徴とするレーザ加工方法。

IPC (5件)：

B23K 26/06 , B23K 26/04 , B23K 26/38 , B23K 26/40 , H01L 21/301

FI (6件)：

B23K26/06 A , B23K26/06 Z , B23K26/04 C , B23K26/38 320 , B23K26/40 , H01L21/78 B

Fターム (8件)：

4E068AE01 , 4E068CA11 , 4E068CA12 , 4E068CD01 , 4E068CD13 , 4E068DA10 , 4E068DB11 , 4E068DB13

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体チップの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-331209 出願人：株式会社デンソー
レーザ集光装置及びレーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-035170 出願人：浜松ホトニクス株式会社
レーザ加工装置及びレーザ加工方法並びに加工された構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-019193 出願人：株式会社リコー

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