磁性細線ユニット及び記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片山修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-232730
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067791
出願日： 2008年09月10日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：

【課題】磁性細線の磁壁移動に要する電流を低減し、且つ磁壁保持時の状態を安定にする。【解決手段】磁性細線の材料として、遷移温度を境に磁化容易軸が面内方向と垂直方向とで遷移する材料を用いる。この場合、磁性細線12の磁化容易軸が面内方向である第1の状態にあるときには、磁壁48を移動させるための電流供給が行われず、磁壁の移動に要する電流が小さい磁化容易軸が垂直方向である第2の状態にあるときにのみ、磁壁を移動させるための電流供給が行われるようなシーケンスを実行することにより、磁壁移動時に必要とする電流を低減することが可能である。また磁壁48を移動しない状態は第1の状態であり、磁壁の保持を安定化させることが可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化容易軸が面内方向である第1の状態と、磁化容易軸が垂直方向である第2の状態との間で状態遷移する材料を用いた磁性細線と、前記磁性細線に電流を印加して、前記磁性細線内の磁壁を移動させる電流供給手段と、を備える磁性細線ユニット。

IPC (5件)：

H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (5件)：

H01L29/82 Z , H01L27/10 447 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , G11C11/15 110

Fターム (32件)：

4M119AA01 , 4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB20 , 4M119CC05 , 4M119CC06 , 4M119CC08 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD60 , 4M119FF05 , 4M119FF13 , 4M119FF14 , 4M119JJ07 , 5F092AA15 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092AD26 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BE24

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第6,834,005号明細書
磁気記憶装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-151180 出願人：富士通株式会社
磁気メモリ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-149535 出願人：富士通株式会社

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