半導体センサー装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：栗原浩之 , 村中克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-134385
公開番号（公開出願番号）：特開2010-256362
出願日： 2010年06月11日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

【課題】 MEMSチップとシリコン製キャップチップを接合したMEMS組立体を樹脂モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。【解決手段】シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェットエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や線間短絡を防止できる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

MEMS基板およびキャップ基板を形成する工程、MEMS基板の少なくともシリコン面以外の材料表面を、耐アルカリ水溶液材で被覆する工程、MEMS基板の少なくとも可動部を上下キャップ基板で密着封止する工程、キャップ基板をウェットエッチングで薄肉化しキャップチップ間を絶縁性保護膜とする工程、キャップチップ間の絶縁性保護膜を除去しキャップチップを個片化する工程、MEMS基板を個片化してMEMS組立体を形成する工程、配線基板上に回路基板を固着する工程、回路基板上にMEMS組立体のキャップチップ面を固着する工程、配線基板と回路基板、回路基板とMEMS組立体を配線する工程、配線基板上の回路基板と配線、MEMS組立体を樹脂部材で封止する工程を有することを特徴とする半導体センサー装置の製造方法。

IPC (6件)：

G01P 15/08 , G01P 15/12 , G01P 15/18 , G01C 19/56 , H01L 29/84 , B81C 3/00

FI (6件)：

G01P15/08 P , G01P15/12 D , G01P15/00 K , G01C19/56 , H01L29/84 A , B81C3/00

Fターム (44件)：

2F105BB14 , 2F105BB15 , 2F105CC04 , 2F105CD03 , 2F105CD13 , 3C081AA01 , 3C081AA11 , 3C081AA17 , 3C081BA22 , 3C081BA30 , 3C081BA44 , 3C081CA05 , 3C081CA14 , 3C081CA15 , 3C081CA32 , 3C081CA42 , 3C081DA22 , 3C081EA02 , 3C081EA03 , 4M112AA01 , 4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA22 , 4M112CA24 , 4M112CA29 , 4M112CA31 , 4M112CA33 , 4M112CA35 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA09 , 4M112DA10 , 4M112DA15 , 4M112DA18 , 4M112DA20 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA10 , 4M112EA11 , 4M112EA18 , 4M112FA07 , 4M112FA20 , 4M112GA01

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-384261 出願人：三菱電機株式会社
薄膜集積回路の作製方法、及び素子基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-024322 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
ウエハスケールで設けられるキャップによって保護される加速度計
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-556235 出願人：シルバーブルックリサーチピーティワイリミテッド

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