特許

J-GLOBAL ID：201003085904115853

半導体記憶装置、及びその製造方法

発明者： 佐藤 充 ,  小村 政則 ,  菅野 裕士 ,  室岡 賢一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (21件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-030109
公開番号（公開出願番号）：特開2010-186872
出願日： 2009年02月12日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：

【課題】ダイオードの順方向特性を劣化させることなく逆方向特性を改善させる。【解決手段】半導体記憶装置は、可変抵抗素子19及びダイオードDを有し、かつピラー状の第1及び第2のメモリセルと、第1のメモリセル及び第2のメモリセル間に設けられ、かつボイド21を有する絶縁層20とを含む。さらに、ダイオードDの中央部は、その上部及び下部よりも幅が狭くなっている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

可変抵抗素子及びダイオードを有し、かつピラー状の第1及び第2のメモリセルと、 前記第1のメモリセル及び前記第2のメモリセル間に設けられ、かつボイドを有する絶縁層と、 を具備し、 前記ダイオードの中央部は、その上部及び下部よりも幅が狭いことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (8件)：

H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (7件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 D ,  H01L21/90 N

Fターム (34件)：

5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033VV16 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA12 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA55 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR10 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-202771   出願人：株式会社日立製作所
• 逆方向リークが減少した3次元の読み書きセルとそれを作る方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-514766   出願人：サンディスクスリーディー,エルエルシー
• 高周波ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-336317   出願人：株式会社豊田中央研究所