特許
J-GLOBAL ID：201003032641873271

不揮発性記憶装置及びその製造方法

発明者：
木下 勝治

木下 勝治 について

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笹子 佳孝

笹子 佳孝 について

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高浦 則克

高浦 則克 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-202771
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040820
出願日： 2008年08月06日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】相変化材料からなる記憶素子とダイオードからなる選択素子とを組み合わせたクロスポイント型のメモリセルによって構成される相変化メモリを備えた不揮発性記憶装置において、相変化材料を高温にしてもダイオードが高温になりにくいメモリセル構造を実現することのできる技術を提供する。【解決手段】第1方向に沿って延びる複数の第1金属配線2と、第1方向と直交する第2方向に沿って延びる複数の第3金属配線9との交点に、相変化材料7からなる記憶素子と、第1多結晶シリコン膜3、第2多結晶シリコン膜4及び第3多結晶シリコン膜5の積層構造のダイオードからなる選択素子とによって構成されるメモリセルを配置し、隣接する選択素子の間及び隣接する記憶素子の間に層間膜(例えば第2層間膜11)を形成し、隣接する記憶素子の間に設けられた層間膜に空隙(例えば空隙12b)を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1方向に沿って延びる複数の第1金属配線と、 前記第1方向と直交する第2方向に沿って延びる複数の第3金属配線と、 前記第1金属配線と前記第3金属配線との交点に記憶素子と選択素子とから成るメモリセルによって構成された不揮発性メモリを有する不揮発性記憶装置において、 前記メモリセルは、 半導体基板と、 前記半導体基板上に周辺回路と電気的に接続して設けられた前記第1金属配線と、 前記第1金属配線上に前記第1金属配線と電気的に接続して設けられた前記選択素子と、 前記選択素子上に前記選択素子と電気的に接続して設けられた前記記憶素子と、 前記記憶素子上に前記記憶素子と電気的に接続して設けられた第2金属配線と、 前記第2金属配線上に前記第2金属配線と電気的に接続し、かつ周辺回路と電気的に接続して設けられた前記第3金属配線と、 隣接する前記記憶素子間に空隙を有して、隣接する記憶素子間及び隣接する選択素子間を埋める層間膜とを含むことを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 27/105 ,  H01L 45/00
FI (2件)：
H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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