特許
J-GLOBAL ID:201003086753205762

有機薄膜トランジスタ、有機発光素子及び有機発光ディスプレイ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 千葉 剛宏 ,  宮寺 利幸 ,  大内 秀治
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-512658
公開番号(公開出願番号):特表2010-531055
出願日: 2008年06月13日
公開日(公表日): 2010年09月16日
要約:
有機薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極及びドレイン電極を設ける工程と、前記ソース電極及びドレイン電極上に自己組織化薄膜層を形成する工程と、前記ソース電極とドレイン電極との間のチャネル領域内に、溶媒と有機半導体材料とを含む溶液を塗布する工程とを有し、前記自己組織化薄膜層の材料は、電荷を受容又は供与することによって有機半導体材料を化学的にドーピングするドーパント部分と、前記ドーパント部分に結合し且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極とに選択的に結合する別個の連結部分とを備える。
請求項(抜粋):
有機薄膜トランジスタの製造方法であって、 ソース電極及びドレイン電極を設ける工程と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に自己組織化薄膜層を形成する工程と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネル領域内に、溶媒と有機半導体材料とを含む溶液を塗布する工程と、 を有し、 前記自己組織化薄膜層の材料は、電荷を受容又は供与することによって有機半導体材料を化学的にドーピングするドーパント部分と、前記ドーパント部分に結合し且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極とに選択的に結合する別個の連結部分とを備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (10件):
H01L 29/786 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/02 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (18件):
H01L29/78 616U ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/02 ,  H05B33/22 D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 370 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 A
Fターム (36件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107DD16 ,  3K107DD71 ,  3K107DD73 ,  3K107EE04 ,  3K107GG06 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE07 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG54 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11
引用特許:
審査官引用 (3件)

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