特許
J-GLOBAL ID：201003087375073697

半導体装置の製造方法

発明者：
横山 満徳

横山 満徳 について


出願人/特許権者：
住友電工デバイス・イノベーション株式会社

住友電工デバイス・イノベーション株式会社 について


代理人 (3件)： 片山 修平 ,  横山 照夫 ,  八田 俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-069304
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225710
出願日： 2009年03月23日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】 半導体装置の表面モホロジーを悪化させることなく、結晶性の向上やSi基板上に成長したときのシート抵抗の高抵抗化を実現すること。【解決手段】 本発明は、MOVPE法により、基板12に近い側における成長ガスの総流量に対する窒素源の流量の比である窒素源流量比より、基板12から遠い側における窒素源流量比を小さくして、基板12上にAlN層32及び34を成長する工程と、AlN層32及び34上に、MOVPE法を用いて、GaN系半導体層16、18、20及び22を成長する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
MOVPE法を用いて、基板に近い側における成長ガスの総流量に対する窒素源の流量の比である窒素源流量比より、前記基板から遠い側における窒素源流量比を小さくして、前記基板上にAlN層を成長する工程と、 前記AlN層上に、前記MOVPE法を用いて、GaN系半導体層を成長する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L29/80 H
Fターム (22件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045BB02 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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