3族窒化物半導体素子製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128768
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323751
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】高正孔濃度の結晶層の低抵抗p型化のための3族窒化物半導体素子製造方法を提供する。【解決手段】 3族窒化物半導体素子の製造方法は、2族不純物元素を添加した3族窒化物半導体(AlxGal-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる第1の結晶層を形成する工程と、第1の結晶層上に、3族窒化物半導体AlzGal-zN(0.7≦z≦1)からなる第2の結晶層を形成する工程と、第1及び第2の結晶層の形成後に、第2の結晶層の少なくとも一部分を、エッチングにより除去する工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体素子の製造方法であって、2族不純物元素を添加した3族窒化物半導体(AlxGal-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる第1の結晶層を形成する工程と、前記第1の結晶層上に、3族窒化物半導体AlzGal-zN(0.7≦z≦1)からなる第2の結晶層を形成する工程と、前記第1及び第2の結晶層の形成後に、前記第2の結晶層の少なくとも一部分を、エッチングにより除去する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 3/18 673

Fターム (40件)：

5F041AA21 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA45 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB15 , 5F045EE15 , 5F045EE17 , 5F045EK26 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB10 , 5F073DA05 , 5F073DA23 , 5F073DA25 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-000704 出願人：株式会社東芝
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-357046 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体とこの半導体を使用した発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-098499 出願人：日亜化学工業株式会社

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