特許

J-GLOBAL ID：200903017380722653

窒化物半導体積層基板及びGaN系化合物半導体装置

発明者： 平野 光 ,  上山 智 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-041215
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235908
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】上部に形成される窒化物半導体層を含む機能素子に対する構造的制約を緩和できる、低貫通転位のAlGaN或いはAlNを用いた窒化物半導体積層基板を提供する。【解決手段】基板1上に、直接或いはAlNまたはAlGaNを主とする1または複数の窒化物半導体層11を介して形成されたAlNまたはAlGaNを主とする第1半導体層12を備えてなり、その上部に窒化物半導体層を含む機能素子20を形成するための窒化物半導体積層基板10であって、第1半導体層12は、AlNまたはAlGaNの基板1の表面と平行な横方向への結晶成長を促進させるアルカリ金属元素または2属元素の中から選択される微量の横方向成長促進物質を添加して形成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に、直接或いはAlNまたはAlGaNを主とする1または複数の窒化物半導体層を介して形成されたAlNまたはAlGaNを主とする第1半導体層を備えてなり、その上部に窒化物半導体層を含む機能素子を形成するための窒化物半導体積層基板であって、 前記第1半導体層は、AlNまたはAlGaNの前記基板の表面と平行な横方向への結晶成長を促進させる横方向成長促進物質を添加して形成されることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L31/10 ,  H01L33/00

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C ,  H01L31/10 A

Fターム (54件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA54 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB17 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA62 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MA11 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049NB10 ,  5F049PA04 ,  5F049PA08 ,  5F049PA18 ,  5F049QA02 ,  5F049QA16 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090658   出願人：学校法人名城大学, 日本学術振興会
• 3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-025852   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• III族窒化物膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-075812   出願人：日本碍子株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-001750   出願人：大阪瓦斯株式会社