シアノ架橋金属錯体の微細加工方法およびシアノ架橋金属錯体の微細加工装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：亀井岳行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-280711
公開番号（公開出願番号）：特開2010-105028
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うこと。【解決手段】基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料(4)と、前記試料(4)を支持して移動させる試料移動装置(2b)と、前記試料(4)に対して、パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザ光を、予め設定された閾値以上のエネルギー強度で照射するレーザー光源(2c)と、前記試料移動装置(2b)を制御して、前記試料(4)の被加工位置(6)を、前記フェムト秒レーザー光照射位置(6)に移動させる加工位置制御手段(C2)、を有する制御装置(3)と、を備えたシアノ架橋金属錯体の微細加工装置(1)。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体に、予め設定された閾値以上のエネルギー強度のパルスレーザー光を照射して、前記シアノ架橋金属錯体を除去することを特徴とするシアノ架橋金属錯体の微細加工方法。

IPC (2件)：

B23K 26/40 , B23K 26/00

FI (2件)：

B23K26/40 , B23K26/00 G

Fターム (14件)：

4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CE04 , 4E068DB00 , 4H048AA03 , 4H048AB78 , 4H048AB90 , 4H048VA30 , 4H048VA50 , 4H048VB10 , 4H048VB40 , 4H050AA03 , 4H050AB78 , 4H050AB90

引用特許：

出願人引用 (5件)

化合物半導体の湿式エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-208900 出願人：科学技術振興事業団, 八尾秀樹, 作原寿彦
レーザ照射方法及び装置、微細加工方法及び装置、並びに薄膜形成方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-020536 出願人：国立大学法人京都大学
超短パルスレーザーを用いた微細加工方法及びその加工物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-012391 出願人：科学技術振興事業団, アイテック株式会社

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