特許
J-GLOBAL ID：200903000722172065
レーザ照射方法及び装置、微細加工方法及び装置、並びに薄膜形成方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-020536
公開番号（公開出願番号）：特開2005-212013
出願日： 2004年01月28日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 例えば固体表面において原子・分子レベルでの剥離や原子・分子レベルでのイオン化(即ち、脱離イオン化)を効率的に行えるようにする。【解決手段】 固体表面から剥離すべき所望の剥離深さ及び固体表面の材質に応じて、固体表面に照射されることで固体表面に非熱的なイオン化放出を引き起こす低フルーエンス領域内のフェムト秒レーザに係る照射フルーエンスの値を、低フルーエンス領域内で設定する。そして、固体表面に対して、このように設定された照射フルーエンスの値でフェムト秒レーザを照射する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
固体表面から剥離すべき所望の剥離深さ及び前記固体表面の材質に応じて、前記固体表面に照射されることで前記固体表面に非熱的なイオン化放出を引き起こす低フルーエンス領域内のフェムト秒レーザに係る照射フルーエンスの値を、前記低フルーエンス領域内で設定する設定工程と、
前記固体表面に対して前記設定された照射フルーエンスの値で前記フェムト秒レーザを照射する照射工程と
を備えたことを特徴とするレーザ照射方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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