特許
J-GLOBAL ID:201003089434461062
配線基板及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
首藤 宏平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-331582
公開番号(公開出願番号):特開2010-153667
出願日: 2008年12月25日
公開日(公表日): 2010年07月08日
要約:
【課題】コンデンサ等を配線基板に内蔵する場合、半導体チップと外部との間で誘電率が低い信号配線を構成し、信号の伝送遅延を抑制可能な配線基板を提供する。【解決手段】本発明の配線基板10は、半導体チップ200(搭載部品)を載置し、上下を貫通する収容穴部11aが開口されたコア材11と、収容穴部11aに収容されくり抜き部100aが形成されたコンデンサ100(内蔵部品)と、コア材11の上下にそれぞれ絶縁層及び導体層を交互に積層形成した配線積層部12、13と、収容穴部11aとコンデンサ100の間隙部、及びくり抜き部100aに充填されコンデンサ100の材料より誘電率が低い樹脂充填材50、51と、樹脂充填材51を貫通するスルーホール導体60を備えている。スルーホール導体60は第1配線積層部12を介して半導体チップ100に接続される信号配線として用いられ、低い誘電率により信号の伝送遅延を抑制し得る。【選択図】図1
請求項(抜粋):
搭載部品を載置し、当該搭載部品と外部基材との間を電気的に接続する配線基板であって、
上面及び下面を貫通する収容穴部が開口されたコア材と、
前記収容穴部に収容され、上面及び下面を貫通するくり抜き部が形成された内蔵部品と、
前記コア材の上面側に絶縁層及び導体層を交互に積層形成した第1配線積層部と、
前記コア材の下面側に絶縁層及び導体層を交互に積層形成した第2配線積層部と、
前記くり抜き部に充填され、前記内蔵部品の材料より誘電率が低い樹脂充填材と、
前記くり抜き部における前記樹脂充填材を貫通するスルーホール導体と、
を備え、前記スルーホール導体は、前記第1配線積層部を介して前記搭載部品に接続される信号配線として用いられることを特徴とする配線基板。
IPC (4件):
H05K 3/46
, H01G 4/12
, H01G 4/30
, H01G 2/06
FI (6件):
H05K3/46 N
, H05K3/46 Q
, H05K3/46 B
, H01G4/12 352
, H01G4/30 301D
, H01G1/035 D
Fターム (34件):
5E001AB03
, 5E001AC01
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082AB10
, 5E082DD20
, 5E082EE11
, 5E082EE35
, 5E082EE39
, 5E082FF05
, 5E082FG26
, 5E346AA02
, 5E346AA27
, 5E346AA33
, 5E346AA35
, 5E346AA43
, 5E346BB02
, 5E346BB11
, 5E346BB20
, 5E346CC09
, 5E346CC21
, 5E346CC32
, 5E346DD02
, 5E346DD07
, 5E346DD12
, 5E346DD32
, 5E346EE31
, 5E346FF15
, 5E346FF45
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG28
, 5E346HH05
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (4件)
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コンデンサ内蔵多層基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-161871
出願人:太陽誘電株式会社
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配線基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-198796
出願人:日本特殊陶業株式会社
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コンデンサ内蔵配線基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-080509
出願人:日本特殊陶業株式会社
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多層配線基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-362224
出願人:京セラ株式会社
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