特許
J-GLOBAL ID:201003091900331713

磁気メモリ素子、磁気メモリ装置およびメモリ素子製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-171137
公開番号(公開出願番号):特開2010-010605
出願日: 2008年06月30日
公開日(公表日): 2010年01月14日
要約:
【課題】予期できない磁化反転を防止すること。【解決手段】磁壁移動型ストレージデバイスは、強磁性金属(例えば、NiFe)に不純物元素(例えば、Pt、Ir、W;強磁性金属細線の保磁力を変調する元素)を添加することにより磁場に対する磁壁の動き易さを調整した強磁性金属細線(例えば、NiFePt細線)を有し、かかる強磁性金属細線に電位パルスを印加することで情報を記録することで、予期できない磁化反転を防止する。【選択図】 図4
請求項1:
不純物元素を添加することにより磁場に対する磁壁の動きやすさを調整した磁性細線を有し、 前記磁性細線に電圧が印加されることで前記磁壁の位置が移動制御され、当該磁壁に隣接する磁気記録層の磁化方向が反転されることで情報を記録すること を特徴とする磁気メモリ素子。
IPC (4件):
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/12
FI (3件):
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/12
Fターム (10件):
4M119BB20 ,  4M119CC10 ,  4M119JJ12 ,  4M119JJ17 ,  5F092AB06 ,  5F092AC30 ,  5F092AD26 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD19
引用特許:
出願人引用 (3件)

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