特許
J-GLOBAL ID：201003092569032596

半導体装置の製造方法

発明者：
小平 真継

小平 真継 について

, 
舩越 康志

舩越 康志 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-048205
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205839
出願日： 2009年03月02日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】ドーパント拡散層のドーパント濃度の低下を抑制して半導体装置の特性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表面に拡散抑制マスクを形成する工程と、半導体基板の表面上に拡散抑制マスクと間隔を空けて第1導電型または第2導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に拡散抑制マスクを形成する工程と、 前記半導体基板の表面上に前記拡散抑制マスクと間隔を空けて第1導電型または第2導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、 前記ドーパント拡散剤から前記半導体基板に前記ドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/225
FI (2件)：
H01L31/04 A ,  H01L21/225 R
Fターム (16件)：
5F051AA02 ,  5F051CB20 ,  5F051DA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F151AA02 ,  5F151CB20 ,  5F151DA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA14 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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