特許
J-GLOBAL ID：200903096996502620

裏面接合型太陽電池とその製造方法

発明者：
高橋 和雅

高橋 和雅 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-017977
公開番号（公開出願番号）：特開2008-186927
出願日： 2007年01月29日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】変換効率が高い裏面接合型太陽電池と、簡略化した工程からなる裏面接合型太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型のシリコン基板の受光面とは反対側の裏面にpn接合が形成された裏面接合型太陽電池の製造方法であって、前記裏面に、第2導電型の第1不純物拡散領域を形成する工程と、前記裏面に前記第1不純物拡散領域を含む領域に前記第1不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第2導電型の第2不純物拡散領域を形成する工程と、前記裏面に前記シリコン基板よりも不純物濃度が高い第1導電型の第3不純物拡散領域を形成する工程とを含むことを特徴とする裏面接合型太陽電池の製造方法と、製造される変換効率が高い裏面接合型太陽電池を提供する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1導電型のシリコン基板の受光面の反対側である裏面にpn接合が形成された裏面接合型太陽電池の製造方法であって、 前記裏面に、第2導電型の第1不純物拡散領域を形成する工程と、 前記裏面に前記第1不純物拡散領域を含む領域に、前記第1不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い、第2導電型の第2不純物拡散領域を形成する工程と、 前記裏面に前記シリコン基板よりも不純物濃度が高い第1導電型の第3不純物拡散領域を形成する工程と、 を含むことを特徴とする裏面接合型太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 L
Fターム (7件)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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