特許

J-GLOBAL ID：201003093761902169

基板処理装置および基板処理方法

発明者： 灘 和成 ,  新居 健一郎
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  五郎丸 正巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-082843
公開番号（公開出願番号）：特開2010-238782
出願日： 2009年03月30日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ20が制御されて、吸着ベース10が上昇される。この吸着ベース10の上昇は、ウエハWの上面とリング上面28との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハWは薄くなるが、吸着ベース10が上昇されるために、ウエハWの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板の下面を支持して基板を水平姿勢に保持する基板保持部材と、 前記基板保持部材に保持された基板の上面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、 前記基板保持部材に保持された基板の周端面と対向し、基板の上面からのエッチング液の流出を規制するための筒状の規制面を有する規制部材と、 前記基板保持部材に保持された基板の下面と前記規制部材とを相対的に昇降させる昇降機構と、 前記規制部材の前記規制面の上端に対して前記基板保持部材が相対的に上昇するように前記昇降機構を制御する昇降制御手段とを含む、基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304

FI (5件)：

H01L21/306 R ,  H01L21/304 643B ,  H01L21/304 648G ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/306 M

Fターム (41件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD13 ,  5F043DD23 ,  5F043DD24 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE36 ,  5F157AA03 ,  5F157AA28 ,  5F157AA29 ,  5F157AA30 ,  5F157AA73 ,  5F157AA77 ,  5F157AB02 ,  5F157AB16 ,  5F157AB33 ,  5F157AB42 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC26 ,  5F157BB23 ,  5F157BB32 ,  5F157BB45 ,  5F157BC53 ,  5F157BE45 ,  5F157BE46 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CE05 ,  5F157CE10 ,  5F157CE11 ,  5F157CE23 ,  5F157CE25 ,  5F157CF22 ,  5F157CF24 ,  5F157CF42 ,  5F157CF54 ,  5F157CF66 ,  5F157CF92 ,  5F157DB45

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-202434
  
• 半導体ウエハのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-271065   出願人：日曹エンジニアリング株式会社
• 基板処理装置および基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-307996   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 基板処理装置およびそれに用いられる基板支持部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-307995   出願人：大日本スクリーン製造株式会社